[发明专利]碳化硅晶片抛光设备在审
| 申请号： | 202211294837.2 | 申请日： | 2022-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN115502870A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 张学良;袁巨龙;邓乾发;杭伟;王佳焕 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B27/00;B24B41/00;B24B41/06;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京祺和祺知识产权代理有限公司 11501 | 代理人： | 崔巍 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅晶片抛光设备，包括抛光机械臂、晶片表面等离子软化处理装置、晶片表面抛光装置。抛光机械臂的晶片吸盘上设有晶片电极，晶片电极与晶片吸盘拾取的碳化硅晶片导通，晶片表面等离子软化处理装置包括脉冲电源、不锈钢电极。水基电解液在脉冲电压作用下与碳化硅晶片的表面发生等离子体活化改性反应生成软化层，再通过晶片表面抛光装置打磨去除碳化硅晶片表面上的软化层。本发明采用抛光机械臂、晶片表面等离子软化处理装置、晶片表面抛光装置相结合的自动化精密抛光工艺，相比现有主要依靠人工操作，缺乏专用的抛光设备的工艺方案具有抛光效率高、抛光效果更佳的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶片 抛光 设备 | ||
【主权项】：
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