[发明专利]氮化物基双向切换器件和其制造方法在审
| 申请号： | 202211290384.6 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN115548014A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 赵起越;周春华;李茂林;高吴昊;杨超;杨观深;程绍鹏 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件及其制造方法。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 双向 切换 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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