[发明专利]一种大尺寸半导体材料电导率提升方法及器件在审
| 申请号： | 202211255450.6 | 申请日： | 2022-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN115763619A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 李震;高达;王丹;邢伟荣;王丛;折伟林 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/02;H01L25/04 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 袁鸿 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种大尺寸半导体材料电导率提升方法及器件，包括：在基于缓冲层进行外延工艺之前，在缓冲层上外延电导层，其中外延的所述电导层材料与所述缓冲层晶格匹配；基于所述电导层，利用分子束外延工艺，外延吸收层。本申请实施例在吸收层下面增加具有高电导率导电层结构，用于提高大面阵红外焦平面探测器的偏压均匀性。使用分子束外延设备在材料外延中一次性完成材料外延制备，减少工艺时间并提升材料外延质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 半导体材料 电导率 提升 方法 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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