[发明专利]一种高迁移率AlN/GaN异质结材料外延方法在审
| 申请号： | 202211225936.5 | 申请日： | 2022-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN115588615A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 罗伟科;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;C30B29/40;C30B25/02 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 李国政 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种高迁移率AlN/GaN异质结材料外延方法。该方法包含下列步骤：（1）衬底烘烤；（2）成核层生长；（3）高阻缓冲层生长；（4）沟道层生长；（5）势垒层生长。在势垒层外延生长过程中，控制源气体流量的大小，脉冲式通入源气体，实现势垒层原子脉冲沉积。本发明方法通过脉冲式的调控源气流大小，实现势垒层原子脉冲沉积，提高结晶质量，改善异质结界面陡峭度，提升异质结材料电子迁移率，方法经济节约，简单易行，外延材料性能好，是实现高AlN/GaN异质结材料迁移率、低成本生长的有效解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 aln gan 异质结 材料 外延 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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