[发明专利]包括接触插塞的半导体装置在审
| 申请号： | 202211224611.5 | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115968195A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 具本洪;金珉佑;金镇用;潘孝同;宋正宇;河大权 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘林果;郭小莲 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：导电图案；绝缘图案，位于导电图案之间；绝缘蚀刻停止层，位于导电图案和绝缘图案上；电容器，包括第一电容器电极、第二电容器电极和电介质，第一电容器电极与导电图案接触，电介质位于第一电容器电极与第二电容器电极之间；绝缘结构，覆盖电容器和绝缘蚀刻停止层；以及外围接触插塞，穿过绝缘结构和绝缘蚀刻停止层，并且包括堆叠在彼此的顶部上的第一插塞区域至第五插塞区域，第四插塞区域的侧表面的至少一部分具有与第三插塞区域的倾斜角和第五插塞区域的倾斜角不同的倾斜角，并且第五插塞区域的竖直厚度是第一插塞区域至第四插塞区域的竖直厚度之和的至少两倍。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 接触 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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