[发明专利]一种半导体器件电弧熔射工艺及其智能熔射装置

摘要

本发明公开一种半导体器件电弧熔射工艺及其智能熔射装置，工艺包括：S1、膜层去除；S2、喷砂作业；S3、一次高压清洗；S4、一次烘干检测；S5、熔射作业；S6、二次高压清洗；S7、二次烘干检测。装置包括：底板、加工仓、角度调节框、熔射机。本发明相比于传统的电弧熔射工艺工序少，且生产出的半导体器件质量并不会降低，同时减少了生产成本，提高了生产效率，具有较强的实用性；整体设有多种加工模块，功能齐全，能够完成多种工序，实际生产过程中不需要再对工件进行转移，减少了从业人员的劳动强度，并且整体装置联动性强，仅需少量驱动即可控制多个模块工作，自动化程度高。解决了工艺复杂，成本高，加工装置多样，人员劳动强度高的问题。