[发明专利]一种半导体器件电弧熔射工艺及其智能熔射装置

权利要求书

1.一种半导体器件智能熔射装置，包括底板（1），所述底板（1）的上端设有转动连接的第三转轴（35），所述第三转轴（35）上设有固定连接的拨动件（36），所述第三转轴（35）的上端设有固定连接的支撑板（37），所述底板（1）的上端设有转动连接的第四转轴（38），所述第四转轴（38）连通底板（1），并与第一齿轮（26）固定连接，所述第四转轴（38）的上端设有固定连接的U型框（39），所述U型框（39）的一端设有固定连接的烘烤板（40）；

所述支撑板（37）的正上方设有抬升板（49），所述抬升板（49）的上端设有固定连接的角度调节框（8），所述角度调节框（8）的上端设有固定连接的第三电机（52）和熔射机（51），所述调节框（8）内设有固定连接的连接板（61）和第二导向柱（57），所述连接板（61）之间设有转动连接的熔射杆（54），所述熔射杆（54）的一端设有固定连接的熔射头（55），所述熔射杆（54）与熔射头（55）连通，且熔射机（51）和熔射杆（54）之间设有固定连接的熔射管（53）；

所述底板（1）的上端设有固定连接的加工仓（3），所述加工仓（3）内设有固定连接的安装板（6），所述安装板（6）的上端设有固定连接的蓄水罐（7），所述加工仓（3）内设有固定连接的加工台（68），所述加工仓（3）的内侧设有除尘口（64），所述安装板（6）的下端设有规定连接的第二连接管（65），所述第二连接管（65）穿过安装板（6），并与蓄水罐（7）连通，所述第二连接管（65）上设有固定连接的第二电磁阀（66），所述第二连接管（65）的下端设有固定连接的喷水板（67），所述喷水板（67）的下端设有阵列分布的喷头。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件智能熔射装置，其特征在于，所述底板（1）的下端设有固定连接的支撑柱（2），所述支撑柱（2）上设有固定连接的横板（4），所述横板（4）的上端设有固定连接的回收桶（5）；

所述底板（1）的下端设有固定连接的第一连接块（9），所述第一连接块（9）的一侧设有转动连接的第一转轴（10），所述第一转轴（10）上设有固定连接的第一锥齿轮（13）、第二锥齿轮（20）、不完全齿轮（15）和第一蜗杆（14），所述第一连接块（9）的另一侧设有固定连接的第一电机（11），所述第一电机（11）的输出端连通第一连接块（9），并与第一转轴（10）固定连接。

3.根据权利要求2所述的一种半导体器件智能熔射装置，其特征在于，所述底板（1）的下端设有固定连接的安装杆（25），所述安装杆（25）的下端设有固定连接的限位块（23），所述限位块（23）上设有滑动连接的第一齿条（24），所述第一齿条（24）为双列齿纹结构；

所述底板（1）的下端设有转动连接的第一齿轮（26），所述第一齿轮（26）与第一齿条（24）啮合，所述底板（1）的下端设有转动连接的第三锥齿轮（12）和第四锥齿轮（19），所述第三锥齿轮（12）与第一锥齿轮（13）啮合，所述第四锥齿轮（19）与第二锥齿轮（20）啮合；

所述底板（1）的下端设有转动连接的第一蜗轮（22），所述第一蜗轮（22）与第一蜗杆（14）啮合，所述第一蜗轮（22）的下端设有固定连接的导向块（29），所述底板（1）的下端设有转动连接的传动件（27），所述传动件（27）为圆弧和直杆的连接结构，且圆弧部分设有齿槽且与第一齿条（24）啮合，直杆部分设有导向槽（28），所述导向块（29）置于导向槽（28）内，并与导向槽（28）滑动配合。

4.根据权利要求3所述的一种半导体器件智能熔射装置，其特征在于，所述底板（1）的下端设有固定连接的第二连接块（16），所述第二连接块（16）的一侧设有转动连接的第二转轴（17），所述第二转轴（17）上设有固定连接的第二蜗杆（18）和第二齿轮（30），所述底板（1）的下端设有转动连接的第二蜗轮（21），所述第二蜗轮（21）与第二蜗杆（18）啮合，所述第二齿轮（30）与不完全齿轮（15）啮合；

所述底板（1）的上端设有转动连接的第一转块（31）和第二转块（32），所述第一转块（31）的上端设有固定连接的第一固定块（33），所述第二转块（32）的上端设有固定连接的第二固定块（56），所述第一转块（31）连通底板（1），并与第三锥齿轮（12）固定连接，所述第二转块（32）连通底板（1），并与第四锥齿轮（19）固定连接。