[发明专利]砷化铟薄膜的外延层结构、霍尔器件及制备方法在审
| 申请号： | 202211220089.3 | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115295719A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 李鑫;朱忻;何渊;吴铭;余泽辉;蔡兴文;万楚华 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司;深圳市赛迈科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 戚海洋 |
| 地址： | 215614 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种砷化铟薄膜的外延层结构，涉及化合物半导体的技术领域，包括一砷化镓衬底；一缓冲层，覆盖于所述砷化镓衬底的上表面一砷化铟缓冲结构，覆盖所述缓冲层；一砷化铟功能层，覆盖于所述砷化铟缓冲结构的上表面。解决了现有技术中砷化铟霍尔器件信噪比低的技术问题，达到了在不降低灵敏度的基础上提高信噪比的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化铟 薄膜 外延 结构 霍尔 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 2022-01-12 - 2022-05-06 - H01L43/06
- 半导体器件包括一对有源器件、复合自旋霍尔电极和磁隧道结。复合自旋霍尔电极电连接至一对有源器件。磁隧道结设置在相对于该一对有源器件的复合自旋霍尔电极的相对侧上。自旋霍尔电极包括一对重金属层以及设置在该一对重金属层之间的间隔件层。该一对重金属层由亚稳态的重金属构成。间隔件层包括与该一对重金属层不同的第一材料。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、存储器器件。
- 磁阻效应元件、磁存储器、磁化反转方法及自旋流磁化反转元件-202210022833.2
- 佐佐木智生 - TDK株式会社
- 2016-11-25 - 2022-04-15 - H01L43/06
- 本发明提供一种磁阻效应元件，在该磁阻效应元件中，具备：磁阻效应元件，其具有固定了磁化方向的第一铁磁性金属层、和磁化方向可变的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层和第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；自旋轨道转矩配线，其沿相对于该磁阻效应元件的层叠方向交叉的方向延伸，并与上述第二铁磁性金属层接合，在上述磁阻效应元件和上述自旋轨道转矩配线接合的部分，流通于上述磁阻效应元件的电流和流通于上述自旋轨道转矩配线的电流合流或被分配。
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