[发明专利]一种快恢复二极管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202211219035.5 | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115295613B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 姜维宾;郭家良;鲍子逸;金涛 | 申请（专利权）人： | 烟台台芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙) 37234 | 代理人： | 苏红红 |
| 地址： | 264000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种快恢复二极管结构及其制造方法。所述快恢复二极管结构包括：N |
||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于烟台台芯电子科技有限公司，未经烟台台芯电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211219035.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种轴向单管功率器件的封装方法
- 下一篇：一种车辆维保的运营方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
