[发明专利]闪存器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上依次形成有浮栅层、层间介质层、控制栅层和具有开口的硬掩膜层，并在开口的侧壁上形成第一侧墙；通过第一刻蚀工艺在开口暴露的控制栅层中形成凹陷，以使第一侧墙的靠近开口一侧的底部与控制栅层之间出现间隙；通过第二刻蚀工艺去除开口暴露的控制栅层及其下方的层间介质层；形成填满间隙的第二侧墙；去除开口暴露的浮栅层，并在开口内形成字线；去除硬掩膜层及其下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。本发明在开口暴露的控制栅层中形成凹陷，使后续形成的控制栅的顶角圆滑，提高了第二侧墙的厚度均匀性，从而避免控制栅和字线之间的隔离失效，确保闪存器件的正常运行。