[发明专利]一种提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法

摘要

本发明公开了一种提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法，包括以下步骤：在N型硅片表面依次生长遂穿氧化层和沉积磷掺杂浓度由内向外逐渐增加的磷掺杂非晶硅薄膜；对磷掺杂非晶硅薄膜进行晶化和磷扩散。与传统工艺相比，本发明方法不仅能够有效提升晶化后多晶硅中活性磷浓度，磷扩散后多晶硅中活性磷浓度可提升到2～8×1020atoms/cm3，且表面活性磷浓度可提升到5×1020atoms/cm3以上，而且能够有效避免因高浓度掺杂而对遂穿氧化层造成破坏，在减薄多晶硅膜厚的同时也有利于改善电池传输和金属化接触，提升遂穿氧化层选择性效果和钝化效果，进而有利于有效地提升TOPCon电池效率。