[发明专利]一种提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法

权利要求书

1.一种提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在N型硅片表面依次生长遂穿氧化层和沉积磷掺杂浓度由内向外逐渐增加的磷掺杂非晶硅薄膜；

S2、对步骤S1中得到的磷掺杂非晶硅薄膜进行晶化和磷扩散。

2.根据权利要求1所述的提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法，其特征在于，步骤S2中，所述磷扩散在扩散炉中进行，包括以下过程：进舟、升温、恒温、沉积、升温、高温推进、降温和出舟。

3.根据权利要求2所述的提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法，其特征在于，所述沉积的工艺参数为：温度760℃～810℃，小氮流量50sccm～2000sccm，时间100s～3000s，炉管压力30mbar～300mbar，源瓶控压压力0.5～1个大气压。

4.根据权利要求3所述的提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法，其特征在于，所述高温推进的工艺参数为：温度810℃～910℃，时间100s～1800s，炉管压力50mbar～1000mbar。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法，其特征在于，步骤S1中，采用PECVD工艺在N型硅片表面依次生长遂穿氧化层和沉积磷掺杂非晶硅薄膜。

6.根据权利要求5所述的提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法，其特征在于，步骤S1中，采用PECVD工艺生长遂穿氧化层的参数为：温度460℃～500℃，反应压力100Pa～200Pa，反应时间10s～300s，笑气流量1000sccm～5000sccm，氩气流量1000sccm～5000sccm，射频电源频率40KHz，射频功率6000W～10000W，开关比为1∶25～1∶100。

7.根据权利要求6所述的提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法，其特征在于，步骤S1中，所述遂穿氧化层的厚度为1nm～2nm；所述遂穿氧化层为二氧化硅。

8.根据权利要求5所述的提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法，其特征在于，步骤S1中，采用PECVD工艺沉积磷掺杂非晶硅薄膜的参数为：温度460℃～500℃，压力100Pa～200Pa，总沉积时间1000s～2000s，硅烷流量800sccm～1600sccm，磷烷流量0～1200sccm，射频电源频率40KHz，射频功率4000W～10000W，开关比为1∶5～1∶25。

9.根据权利要求8所述的提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法，其特征在于，步骤S1中，所述磷掺杂非晶硅薄膜的表面磷掺杂浓度≥10²⁰atom/cm³；所述磷掺杂非晶硅薄膜的总厚度为30nm～160nm。

10.根据权利要求1～4中任一项所述的提升PECVD路线N型TOPCon电池多晶硅活性磷掺杂浓度的方法，其特征在于，步骤S1中，所述N型硅片在生长遂穿氧化层之前，还包括以下处理：对N型硅片进行制绒、硼扩散、去背结和背抛光处理；

步骤S2中，所述磷扩散完成后，还包括以下处理：对磷扩散后的硅片正面PSG、多晶硅、BSG层和背面PSG层进行清洗、正面和背面沉积减反射钝化膜、丝网印刷和光注入退火。