[发明专利]太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 202211199636.4 | 申请日: | 2022-09-29 |
公开(公告)号: | CN115411150A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 张明;孟夏杰;范建彬 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/06;H01L31/0236;H01L31/0216 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 周孝湖 |
地址: | 610200 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供了一种太阳电池及其制备方法,太阳电池的制备方法包括如下步骤:提供太阳电池基片,太阳电池基片包括需要进行第一处理的区域A和无需进行第一处理的区域B;在区域B上形成磷硼共掺杂氧化硅层;对区域A进行第一处理;其中,第一处理包括制绒处理、刻蚀处理和去绕镀处理中的一种或多种。该太阳电池的制备方法通过在太阳电池基片不需要进行第一处理的区域B上形成磷硼共掺杂氧化硅层作为掩膜层,在对太阳电池基片的区域A进行第一处理时,该磷硼共掺杂氧化硅层可以对区域B起到良好的阻挡作用,从而为区域A的第一处理工序提供足够长的时间窗口,有利于提高太阳电池的良率。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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