[发明专利]一种抗电磁辐射的半导体器件及抗电磁辐射的方法在审
| 申请号： | 202211191051.8 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN116130463A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 林和;洪学天;王尧林;牛崇实;陈宏 | 申请（专利权）人： | 晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 陈彦朝 |
| 地址： | 030021 山西省太原市*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抗电磁辐射的半导体器件及抗电磁辐射的方法，半导体器件包括：半导体衬底、半导体层、绝缘介质层、锗锑碲薄膜层、第一电极和第二电极。方法包括：电磁辐射波到达锗锑碲薄膜层的超表面结构；通过由凹槽、圆柱体和电磁辐射反射基体组成超表面结构的锗锑碲薄膜层实现肖特基二极管的抗电磁辐射的反射；横向孔和纵向孔内填充有锰锌铁氧体材料，当经过电磁辐射反射基体反射后的第一电磁辐射波到达锰锌铁氧体材料表面，形成第二电磁辐射波，第二电磁辐射波与第一电磁辐射波彼此反相，从而抵消第一电磁辐射波和第二电磁辐射波。本发明提高了电磁辐射的反射率，有助于减小电磁辐射的能量，减轻电磁辐射对肖特基二极管的性能影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电磁辐射 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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