[发明专利]AOT场效应管制备方法及AOT场效应管在审
| 申请号： | 202211190462.5 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115410921A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张爱忠 | 申请（专利权）人： | 深圳市至信微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 周翀 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供AOT场效应管制备方法及AOT场效应管，属于半导体技术领域。该方法包括：对样品的外延层注入P型杂质，形成P‑well层；在P‑well层中注入N型杂质，形成N型源区；在P‑well层中注入P型杂质，形成P+层；在P‑well层上进行沟槽蚀刻，形成栅极沟槽；其中，P+层包覆栅极沟槽的一侧拐角；在栅极沟槽中沉积栅氧化层，形成槽栅；其中，靠近P+层的栅氧化层和栅极沟槽底部的栅氧化层的厚度均大于靠近N型源区的栅氧化层的厚度；对样品进行后端工艺处理，得到AOT场效应管。通过加厚沟槽一侧的栅氧化层，并使P+层包覆槽栅的一侧拐角以保护槽栅，提高了栅氧化层的可靠性和场效应管的抗短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | aot 场效应 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
