[发明专利]AOT场效应管制备方法及AOT场效应管

说明书

本申请提供AOT场效应管制备方法及AOT场效应管，属于半导体技术领域。该方法包括：对样品的外延层注入P型杂质，形成P‑well层；在P‑well层中注入N型杂质，形成N型源区；在P‑well层中注入P型杂质，形成P+层；在P‑well层上进行沟槽蚀刻，形成栅极沟槽；其中，P+层包覆栅极沟槽的一侧拐角；在栅极沟槽中沉积栅氧化层，形成槽栅；其中，靠近P+层的栅氧化层和栅极沟槽底部的栅氧化层的厚度均大于靠近N型源区的栅氧化层的厚度；对样品进行后端工艺处理，得到AOT场效应管。通过加厚沟槽一侧的栅氧化层，并使P+层包覆槽栅的一侧拐角以保护槽栅，提高了栅氧化层的可靠性和场效应管的抗短路能力。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种AOT场效应管制备方法及AOT场效应管。

背景技术

相关技术中，常规场效应管的槽栅位置易出现高电场，在没有有效屏蔽的情况下栅氧化层容易被击穿，抗短路能力较差。

发明内容

本申请实施例的主要目的在于提出一种AOT场效应管制备方法，通过加厚沟槽一侧的栅氧化层，并使P+层包覆槽栅的一侧拐角以保护槽栅，提高了栅氧化层的可靠性和场效应管的抗短路能力。

为实现上述目的，本申请实施例的第一方面提出了AOT场效应管制备方法，所述方法包括：

对样品的外延层注入P型杂质，形成P-well层；

在所述P-well层中注入N型杂质，形成N型源区；

在所述P-well层中注入P型杂质，形成P+层；其中，所述P+层的掺杂浓度大于所述P-well层的掺杂浓度；

在所述P-well层上进行沟槽蚀刻，形成栅极沟槽；其中，所述栅极沟槽的一侧连接所述P+层，所述P+层包覆所述栅极沟槽的一侧拐角，所述栅极沟槽的另一侧连接所述N型源区；

在所述栅极沟槽中沉积栅氧化层，形成槽栅；其中，靠近所述P+层的栅氧化层和所述栅极沟槽底部的栅氧化层的厚度均大于靠近所述N型源区的栅氧化层的厚度；

对所述样品进行后端工艺处理，得到AOT场效应管。

在一些实施例中，所述在所述P-well层中注入N型杂质，形成N型源区的步骤，包括：

在所述P-well层上淀积一层硬掩膜，得到第一掩膜层；

对所述第一掩膜层进行光刻，得到N型窗口：

向所述N型窗口注入N型杂质，形成所述N型源区；

采用腐蚀工艺去除所述第一掩膜层。

在一些实施例中，所述在所述P-well层中注入P型杂质，形成P+层的步骤，包括：

在所述P-well层上淀积一层硬掩膜，得到第二掩膜层；

对所述第二掩膜层进行光刻，得到P+窗口；

向所述P+窗口注入P型杂质，形成所述P+层；

采用腐蚀工艺去除所述第二掩膜层。

在一些实施例中，所述在所述P-well层上进行沟槽蚀刻，形成栅极沟槽的步骤，包括：

在所述P-well层上淀积一层硬掩膜，得到第三掩膜层；

对所述第三掩膜层进行光刻，得到沟槽窗口；

通过所述沟槽窗口进行沟槽蚀刻，形成所述栅极沟槽；

采用腐蚀工艺去除所述第三掩膜层。

在一些实施例中，所述在所述栅极沟槽中沉积栅氧化层，形成槽栅的步骤，包括：