[发明专利]对准偏差的测量方法在审
| 申请号： | 202211185276.2 | 申请日： | 2022-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115602564A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 巫奉伦;夏忠平;王嘉鸿 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;G03F9/00;G01B21/00 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 汤金燕 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种对准偏差的测量方法，包括：提供衬底；衬底上依序堆叠包括第三材料层、第二材料层和第一材料层，第一材料层上设有第一对准标记，第二材料层上设有第二对准标记，第三材料层上设有第三对准标记；量测第一对准标记与第二对准标记获取第一对准标记和第二对准标记之间的在第一方向上的对准偏差X12和在第二方向上的对准偏差Y12，量测第一对准标记与第三对准标记获取第一对准标记和第三对准标记之间的在第一方向上的对准偏差X13和在第二方向上的对准偏差Y13；根据所述偏差X12，X13，Y12，Y13确定至少一个方向的综合偏差；所述综合偏差用于表征对应方向发生的整体偏差。本申请能够准确测量刻蚀过程中的偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 偏差 测量方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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