[发明专利]对准偏差的测量方法

说明书

本申请公开一种对准偏差的测量方法，包括：提供衬底；衬底上依序堆叠包括第三材料层、第二材料层和第一材料层，第一材料层上设有第一对准标记，第二材料层上设有第二对准标记，第三材料层上设有第三对准标记；量测第一对准标记与第二对准标记获取第一对准标记和第二对准标记之间的在第一方向上的对准偏差X12和在第二方向上的对准偏差Y12，量测第一对准标记与第三对准标记获取第一对准标记和第三对准标记之间的在第一方向上的对准偏差X13和在第二方向上的对准偏差Y13；根据所述偏差X12，X13，Y12，Y13确定至少一个方向的综合偏差；所述综合偏差用于表征对应方向发生的整体偏差。本申请能够准确测量刻蚀过程中的偏差。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种对准偏差的测量方法。

背景技术

套刻工艺是半导体工艺中的重要工艺。套刻标记能够用于识别套刻工艺中的对准偏差，以在套刻工艺中依据对准偏差适应性调整相关工艺参数；可见，套刻标记能够为套刻工艺的质量提高重要保障。传统的套刻标记在发生旋转这一类运动时，容易产生测量偏差，使最终识别的对准偏差准确性低。

发明内容

鉴于此，本申请提供一种对准偏差的测量方法，以解决传统套刻标记在发生旋转这一类运动时，容易产生测量偏差，使最终识别的对准偏差准确性低的问题。

本申请还提供一种对准偏差的测量方法，包括如下步骤：

提供衬底；所述衬底上依序堆叠包括第三材料层、第二材料层和第一材料层，所述第一材料层位于所述第二材料层上表面，所述第二材料层位于所述第三材料层上表面，所述第一材料层上设有第一对准标记，所述第二材料层上设有第二对准标记，所述第三材料层上设有第三对准标记；

量测所述第一对准标记与所述第二对准标记获取所述第一对准标记和所述第二对准标记之间的在第一方向上的对准偏差X12和在第二方向上的对准偏差Y12；

量测所述第一对准标记与所述第三对准标记获取所述第一对准标记和所述第三对准标记之间的在第一方向上的对准偏差X13和在第二方向上的对准偏差Y13；所述第一方向垂直于第二方向；

根据所述偏差X12，X13，Y12，Y13确定至少一个方向的综合偏差；所述综合偏差用于表征对应方向发生的整体偏差。

可选地，所述综合偏差包括第一方向对应的第一综合偏差和第二方向的第二综合偏差；确定所述第一综合偏差方法包括：X＝Wx12*X12+Wx13*X13；确定所述第二综合偏差方法包括：Y＝Wy12*Y12或者Wy13*Y13；式中，Wx12表示对准偏差X12之权重，Wx13表示对准偏差X13之权重，X表示第一综合偏差，Wy12表示对准偏差Y12之权重，Wy13表示对准偏差Y13之权重，Y表示第二综合偏差。

可选地，所述Wx12和所述Wx13满足如下关系：0≤Wx12+Wx13≤1。

可选地，所述Wy12和所述Wy13满足如下关系：0≤Wy12+Wy13≤1。

可选地，若X12/X13大于4或者小于0.25，则Wx12＝0或者Wx13＝0；

若Y12/Y13大于4或者小于0.25，则Wy12＝0或者Wy13＝0。

可选地，所述对准偏差X12，所述对准偏差X13，所述对准偏差Y12和所述对准偏差Y13形成一组偏差，各组偏差中的各个对准偏差分别具有对应的权重。

可选地，所述各组偏差包括如下偏差：偏移量、旋转量、正交量、放大量、曝光区域内的光刻误差或曝光区域之间的光刻误差。

可选地，所述第三对准标记与所述第一对准标记之间的距离用于测量所述第三材料层与所述第一材料层之间的对准偏差，所述第二对准标记与所述第一对准标记之间的距离用于测量所述第二材料层与所述第一材料层之间的对准偏差。