[发明专利]一种3D存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211174498.4 | 申请日： | 2022-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN115565943A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 赵祥辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;甄丹凤 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种3D存储器件及其制备方法，包括：形成具有多个台阶的绝缘叠层结构，所述绝缘叠层结构包括交替堆叠的牺牲层和层间绝缘层，每层所述台阶的顶面为所述层间绝缘层；去除所述层间绝缘层在所述台阶的顶面所显露的至少一部分，以暴露出所述台阶中的所述牺牲层；将同一层中暴露出的所述牺牲层与未暴露出的所述牺牲层断开，形成阻挡部；形成覆盖所述台阶的介质层；将所述牺牲层替换为栅极导体层以形成栅叠层结构；在所述台阶上形成与所述栅极导体层连通的导电通道，所述导电通道穿过对应的所述栅极导体层上的所述层间绝缘层及所述阻挡部。本公开用绝缘叠层结构来作为刻蚀停止层，降低了刻蚀的难度，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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