[发明专利]一种多沟道横向超结肖特基势垒二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211143842.3 | 申请日： | 2022-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN115498046A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 赵胜雷;艾月;张进成;刘爽;宋秀峰;黄永;陈兴;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/41;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 吴敏;成丹 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种多沟道横向超结肖特基势垒二极管及其制备方法，包括：衬底以及依次堆叠在衬底上的超结结构、第一功能层和第二功能层；超结结构由偶数个交替堆叠的p型缓冲层和n型缓冲层构成，p型缓冲层相对于n型缓冲层靠近衬底；第一功能层包括叠设的第一沟道层和第一势垒层，第二功能层包括叠设的第二沟道层和第二势垒层；位于第二功能层上的阴极，且阴极与第二势垒层形成欧姆接触；位于第二功能层远离阴极的一端的阳极，且阳极的下表面延伸至第一沟道层内部，并与第一沟道层形成肖特基接触。本申请实施例能够解决现有的横向肖特基势垒二极管容易发生雪崩效应使得器件发生提前击穿的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 横向 肖特基势垒二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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