[发明专利]鳍式半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202211138629.3 | 申请日： | 2022-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN116403969A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 耿金鹏;杨渝书 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H10B10/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 顾丹丽 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种鳍式半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区和逻辑区，在所述衬底上依次形成第一停止材料层、第一芯轴材料层、第二停止材料层及第二芯轴材料层；刻蚀形成第二芯轴图形，在所述第二停止材料层及所述第二芯轴图形的表面形成第一侧墙材料层；在所述存储区的第一侧墙材料层上形成图形化的掩模层，形成多个第一侧墙图形；去除所述图形化的掩模层，形成多个第一芯轴图形；在所述第一停止材料层及所述第一芯轴图形的表面形成第二侧墙材料层，形成多个第二侧墙图形；以及，顺形地向下刻蚀以形成多个鳍结构；本发明在满足不同器件对鳍结构间距的要求的同时且节省工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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