[发明专利]多级别自旋逻辑在审

专利信息
申请号: 202211134333.4 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN115581113A 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: S.马尼帕特鲁尼;I.A.扬;D.E.尼科诺夫;U.E.阿夫西;P.莫罗;A.乔德里 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H10N52/80 分类号: H10N52/80;H10N52/85;H10N52/01;H03K19/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 吕传奇
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 所描述的是一种设备,其包括:4状态输入磁体;邻近于所述4状态输入磁体的第一自旋通道区;4状态输出磁体;邻近于4状态输入磁体和4状态输出磁体的第二自旋通道区;以及邻近于所述4状态输出磁体的第三自旋通道区。所描述的是一种设备,其包括:4状态输入磁体;邻近于所述4状态输入磁体的第一滤波器层;邻近于所述第一滤波器层的第一自旋通道区;4状态输出磁体;邻近于所述4状态输出磁体的第二滤波器层;邻近于第一滤波器层和第二滤波器层的第二自旋通道区;以及邻近于所述第二滤波器层的第三自旋通道区。
搜索关键词: 多级 自旋 逻辑
【主权项】:
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