[发明专利]具有梯度变化缓冲层结构的SiC超级结结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202211126917.7 | 申请日： | 2022-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN115602705A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;康皓博 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 辛菲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有梯度变化缓冲层结构的SiC超级结结构及其制作方法，包括：SiC超级结结构包括若干间隔分布的P柱区和N柱区，P柱区和N柱区之间形成有PN结界面，PN结界面形成有缓冲层结构；缓冲层结构包括P柱缓冲层组和N柱缓冲层组，P柱缓冲层组邻接P柱区和N柱缓冲层组，N柱缓冲层组邻接N柱区和P柱缓冲层组；其中，P柱缓冲层组和N柱缓冲层组分别包括至少一个对应缓冲层。本发明提升了SiC超级结器件SiC超级结器件具有更好的抗荷偏特性、可靠性、高击穿电压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 梯度 变化 缓冲 结构 sic 超级 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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