[发明专利]CMOS图像传感器的制备方法

摘要

本发明提供一种CMOS图像传感器的制备方法，包括：提供一衬底；刻蚀像素区域、逻辑区域的第三介质层、第二介质层和部分厚度的第一介质层；以剩余厚度的所述第一介质层为掩膜，对所述像素区域的衬底执行离子注入工艺以在第一钳位区表面形成第二钳位区；刻蚀所述像素区域和所述逻辑区域的剩余厚度的所述第一介质层至所述衬底的表面。本申请在刻蚀形成侧墙结构的过程中，保留剩余厚度的所述第一介质层，并以剩余厚度的所述第一介质层为掩膜，对所述像素区域的衬底执行离子注入工艺以在第一钳位区表面形成第二钳位区，可以有效减少离子注入工艺对衬底表面的损伤，减少白像素，提升图像传感器的性能。