[发明专利]一种单层二维碳化硅晶体制备方法在审
| 申请号： | 202211114433.0 | 申请日： | 2022-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN115557502A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 秦朋;孙韬;梅大江 | 申请（专利权）人： | 宁波日晟新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984;C01B32/977;C01B32/963 |
| 代理公司： | 北京知艺互联知识产权代理有限公司 16137 | 代理人： | 余青 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种单层二维碳化硅晶体制备方法，包括以下步骤：S1、采用过渡金属作为衬底材料，将衬底材料清洗干净，去除衬底材料表面的氧化层后，置于反应炉内；S2、将气相含碳化合物和气相含硅化合物作为原料通入密闭的反应炉内，将反应炉抽真空至真空度为1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 单层 二维 碳化硅 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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