[发明专利]一种单层二维碳化硅晶体制备方法在审
| 申请号： | 202211114433.0 | 申请日： | 2022-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN115557502A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 秦朋;孙韬;梅大江 | 申请（专利权）人： | 宁波日晟新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984;C01B32/977;C01B32/963 |
| 代理公司： | 北京知艺互联知识产权代理有限公司 16137 | 代理人： | 余青 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单层 二维 碳化硅 晶体 制备 方法 | ||
1.一种单层二维碳化硅晶体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、采用过渡金属作为衬底材料，将衬底材料清洗干净，去除衬底材料表面的氧化层后，置于反应炉内；
S2、将气相含碳化合物和气相含硅化合物作为原料通入密闭的反应炉内，将反应炉抽真空至真空度为1×10-5Pa-1×10-4Pa，然后向反应炉内通入保护气体；
S3、将反应炉升温到100℃-1000℃，保温10-100min，使得气相含碳化合物和气相含硅化合物在衬底材料上生长；
S4、以1℃/min-10℃/min的速率将反应率冷切到室温，得到单层二维碳化硅晶体材料。
2.根据权利要求1所述的一种单层二维碳化硅晶体制备方法，其特征在于：所述S1中，过渡金属为镍、铬、铁、铜、钨或其二元、三元、四元合金。
3.根据权利要求1所述的一种单层二维碳化硅晶体制备方法，其特征在于：所述S2中，气相含碳化合物为气化碳、一氧化碳、甲烷、乙烷、乙烯或乙炔中的一种或几种任意比例的混合气体。
4.根据权利要求1所述的一种单层二维碳化硅晶体制备方法，其特征在于：所述S2中，气相含硅化合物为气化硅、硅烷、硅氯烷中的一种或几种任意比例的混合气体。
5.根据权利要求1所述的一种单层二维碳化硅晶体制备方法，其特征在于：所述S2中，保护气体为氩气、氢气、氮气或氦气中的一种或几种任意比例的混合气体。
6.根据权利要求1所述的一种单层二维碳化硅晶体制备方法，其特征在于：所述S2中，气相含碳化合物与气相含硅化合物的摩尔比为1:10-10:1。
7.根据权利要求1所述的一种单层二维碳化硅晶体制备方法，其特征在于：所述S3中，反应炉的升温速率为10℃/min-30℃/min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波日晟新材料有限公司，未经宁波日晟新材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211114433.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
