[发明专利]发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202211091653.6 | 申请日： | 2022-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN115692565A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;丘金金;高默然;邬元杰;常亮;毕京锋 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括自下向上的衬底、n型半导体层、量子阱层、空穴注入层和p型半导体层，所述空穴注入层包含p型掺杂元素和n型非故意掺杂元素，所述p型掺杂元素的浓度与所述n型非故意掺杂元素的浓度之比a≥80。本发明的技术方案使得量子阱层中的电子和空穴浓度差异明显减小，进而使得发光二极管的光电转换效率得到明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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