[发明专利]一种晶圆清洗方法在审
| 申请号： | 202211088034.1 | 申请日： | 2022-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN116274104A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张然;张娟辉;李彩凤;刘晓荣;张玉珏 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/04 | 分类号： | B08B3/04;B08B3/02;B08B3/08;B08B13/00;H01L21/02;H01L21/67;F26B5/00;F26B15/20;F26B21/14 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 戴元毅 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开一种晶圆清洗方法。一实施例的晶圆清洗方法包括：对晶圆进行第一腐蚀；对晶圆利用第一中心口和第一辅助口进行溢流注水，第一中心口的注水流速为第一流速，第一辅助口的注水流速为第二流速；对晶圆进行第二腐蚀；利用第二中心口和第二辅助口进行溢流注水，第二中心口的注水流速为第三流速，第二辅助口的注水流速为第四流速；在冲洗腔内，自槽体底部的注水口以第五流速进行注水进行第三次清洗，直至水电阻率达到工艺要求；以及对晶圆进行干燥处理，第一、第二、第三以及第四流速为5L/min～22L/min，第五流速为20L/min～30L/min，第三次清洗时间为150s～1000s。该清洗方法能够避免深宽比大的沟槽内水膜置换不良导致的水痕，进而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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