[发明专利]一种高效选择性掺杂电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高效选择性掺杂电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，所述选择性掺杂电池由下至上分别包括n型硅片、掺硼非晶硅层、AL2O3层和SiNx钝化减反射层，金属电极通过选择性掺杂发射极与n型硅片相导通。本发明通过PECVD沉积技术得到掺硼非晶硅/多晶硅薄膜层，再进行退火激活的方式可以得到均匀的掺硼的低表面浓度浅结，有更好的蓝光响应和更低的表面复合，可进一步提升开压和短流；通过PECVD沉积掺硼非晶硅表面无BSG层，激光照射非晶/多晶掺硼薄层，实现选择性硼重掺杂，从而形成发射极SE结构，硼重掺杂区域可以和银浆形成更低接触电阻更好欧姆接触的电极接触。