[发明专利]薄膜沉积方法在审
申请号: | 202211082586.1 | 申请日: | 2022-09-06 |
公开(公告)号: | CN116065140A | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 申晙惺;崔暎喆;金东鹤 | 申请(专利权)人: | 圆益IPS股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;C23C16/54;C23C16/455 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国京畿道平*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种薄膜沉积方法,更具体而言,涉及一种可以薄膜沉积方法,通过导入脉冲型等离子体吹扫工艺,从而防止超细微薄膜的厚度增加和生成的颗粒导致的物性变化。本发明中的薄膜沉积方法可将RF电源施加至腔室,并利用了在上述腔室内部产生等离子体而在基板上形成薄膜的基板处理装置,其包括:向上述腔室内部准备基板的步骤;在上述腔室内部生成第一等离子体,供应源气体而在上述基板上形成薄膜层的薄膜形成步骤;以及向上述腔室内生成提前预设好占空率的第二等离子体,供应惰性气体而在上述腔室内部将残留源气体清除的脉冲型等离子体吹扫步骤。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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