[发明专利]薄膜沉积方法

权利要求书

1.一种薄膜沉积方法，可将RF电源施加至腔室，并利用了在上述腔室内部产生等离子体而在基板上形成薄膜的基板处理装置，其特征在于，包括：

向上述腔室内部准备基板的步骤；

在上述腔室内部生成第一等离子体，供应源气体而在上述基板上形成薄膜层的薄膜形成步骤；以及

向上述腔室内生成提前预设好占空率的第二等离子体，供应惰性气体而在上述腔室内部将残留源气体清除的脉冲型等离子体吹扫步骤。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，

上述薄膜层是碳硬膜层。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，

上述薄膜形成步骤，施加50至150W的RF电源。

4.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，

上述第一等离子体，是与上述第二等离子体的占空率不同的脉冲型等离子体。

5.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，

上述脉冲型等离子体追扫步骤，施加10至50W的RF电源。

6.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，

上述第二等离子体，占空率(duty ratio)处于5％至50％之间。

7.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，

上述第一等离子体，是供应2000至10000Hz的电源而形成的脉冲型等离子体。

8.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，

上述第二等离子体，是供应10至2000Hz的电源而形成的脉冲型等离子体。

9.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，

上述基板处理装置，包括：

腔室，提供基板处理空间；

电源供应部，至少施加一个RF电源，分别向上述腔室内部生成连续波等离子体或者脉冲型等离子体；

供气部，向上述基板处理空间的内部供应用于薄膜层形成的源气体；以及

控制部，控制上述电源供应部和上述供气部的驱动。