[发明专利]一种基于冷金属的冷源二极管在审

专利信息
申请号: 202211080236.1 申请日: 2022-09-05
公开(公告)号: CN115579400A 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 刘飞;王治江;张力公;刘晓彦;康晋锋 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L29/24;H01L29/06
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 盛大文
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及集成电路领域,尤其涉及一种基于冷金属的冷源二极管结构。所述冷源二极管结构的一侧为冷金属区域,另一侧为半导体区域,所述冷金属区域和所述半导体区域相接触;所述冷金属区域采用具有冷金属性质的材料。本发明提供的基于冷金属的冷源二极管结构能够实现理想因子低于1的电流电压特性,实现极低的二极管开启电压,降低二极管的功耗。还可以实现很好的负微分电阻效应,可以用来实现多值逻辑,降低电路的复杂度。
搜索关键词: 一种 基于 金属 二极管
【主权项】:
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