[发明专利]一种基于冷金属的冷源二极管在审
申请号: | 202211080236.1 | 申请日: | 2022-09-05 |
公开(公告)号: | CN115579400A | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 刘飞;王治江;张力公;刘晓彦;康晋锋 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/24;H01L29/06 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 盛大文 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及集成电路领域,尤其涉及一种基于冷金属的冷源二极管结构。所述冷源二极管结构的一侧为冷金属区域,另一侧为半导体区域,所述冷金属区域和所述半导体区域相接触;所述冷金属区域采用具有冷金属性质的材料。本发明提供的基于冷金属的冷源二极管结构能够实现理想因子低于1的电流电压特性,实现极低的二极管开启电压,降低二极管的功耗。还可以实现很好的负微分电阻效应,可以用来实现多值逻辑,降低电路的复杂度。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 金属 二极管 | ||
【主权项】:
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