[发明专利]一种基于冷金属的冷源二极管在审
| 申请号： | 202211080236.1 | 申请日： | 2022-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN115579400A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 刘飞;王治江;张力公;刘晓彦;康晋锋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/24;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 盛大文 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 二极管 | ||
1.一种基于冷金属的冷源二极管结构，其特征在于，所述冷源二极管结构的一侧为冷金属区域，另一侧为半导体区域，所述冷金属区域和所述半导体区域相接触；所述冷金属区域采用具有冷金属性质的材料。
2.根据权利要求1所述的基于冷金属的冷源二极管结构，其特征在于，所述具有冷金属性质的材料为冷金属材料，优选为二维冷金属材料和/或三维冷金属材料。
3.根据权利要求2所述的基于冷金属的冷源二极管结构，其特征在于，所述冷金属材料为2H相的二维冷金属材料或三维冷金属材料。
4.根据权利要求2或3所述的基于冷金属的冷源二极管结构，其特征在于，所述二维冷金属材料选自NbS2、NbSe2、NbTe2、TaS2、TaSe2或TaTe2，所述三维冷金属材料选自Nb2(PO4)3、TiCoO3或Ce2TeO2。
5.根据权利要求2-4任一项所述的基于冷金属的冷源二极管结构，其特征在于，所述半导体区域选用的半导体材料为一维半导体材料或二维半导体材料或三维半导体材料。
6.根据权利要求5所述的基于冷金属的冷源二极管结构，其特征在于，所述一维半导体材料包括InAs纳米线或β-Ga2O3纳米线，二维半导体材料包括MoS2、MoSe2、WS2或WSe2；所述三维半导体材料包括Si或Ge。
7.根据权利要求6所述的基于冷金属的冷源二极管结构，其特征在于，所述二维冷金属材料与所述一维半导体或二维半导体或三维半导体材料形成冷源二极管结构；所述三维冷金属材料与所述一维半导体材料或二维半导体或三维半导体材料形成冷源二极管结构。
8.根据权利要求1-7任一项所述的基于冷金属的冷源二极管结构，其特征在于，所述半导体材料为未掺杂半导体材料或掺杂半导体材料。
9.根据权利要求1-8任一项所述的基于冷金属的冷源二极管结构，其特征在于，所述冷源二极管结构设有两个接触电极；优选的，一个接触电极设在所述冷金属区域的一端，另一个接触电极设在所述半导体区域的一端。
10.根据权利要求1-9任一项所述的基于冷金属的冷源二极管结构，其特征在于，所述冷源二极管结构的开启电压为0.2V～0.5V，所述冷源二极管结构在0.1V～0.3V的理想因子n低于1，和/或，所述冷源二极管结构调整掺杂之后具有负微分电阻效应。
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