[发明专利]一种快恢复二极管的金铂双掺杂方法在审
| 申请号： | 202211071253.9 | 申请日： | 2022-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN115458583A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李怀辉;张龙;杨权;潘东辉 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329;H01L29/36;H01L29/167;H01L21/22 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 罗超 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了快恢复二极管领域内的一种快恢复二极管的金铂双掺杂方法，包括以下步骤：S1:在N型硅衬底上面生长N‑型外延层，在N‑型外延层上面生长氧化层；S2:通过光刻，在氧化层上开出环区和元胞区，并注入少量的硼离子，再通过退火处理，形成P‑型轻掺杂区；S3:在步骤S2后所得制品上面生长多晶硅形成多晶硅层，对多晶硅层进行重掺杂，通过光刻，去除环区及元胞区上面的多晶硅；S4:在N型硅衬底背面溅射或蒸发一层铂，并进行高温退火；S5:在步骤S4后所得制品正面溅射或蒸发一层的金，并进行二次高温退火。该掺杂方法中可优化快恢复二极管内VF的均一性；得到较优的VF‑Trr曲线；提高快恢复二极管PN结击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 金铂双 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
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