[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202211069081.1 | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115881543A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 沈书文;郭俊铭;彭远清;杨季璇;林政纬;陈建鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成半导体堆叠件，其中，半导体堆叠件包括交替地堆叠在衬底上的第一半导体材料的第一半导体层和第二半导体材料的第二半导体层；图案化半导体堆叠件和衬底以形成沟槽和与沟槽相邻的有源区域；在沟槽的侧壁和有源区域的侧壁上外延生长第一半导体材料的衬垫；在沟槽中形成隔离部件；执行快速热氮化工艺，从而将衬垫转化为氮化硅层；以及在氮化硅层上方形成第二半导体材料的包覆层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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