[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成半导体堆叠件，其中，所述半导体堆叠件包含交替地堆叠在所述衬底上的第一半导体材料的第一半导体层和第二半导体材料的第二半导体层；

图案化所述半导体堆叠件和所述衬底以形成沟槽和与所述沟槽相邻的有源区域；

在所述沟槽的侧壁和所述有源区域的侧壁上外延生长所述第一半导体材料的衬垫；

在所述沟槽中形成隔离部件；

执行快速热氮化工艺，从而将所述衬垫转化为氮化硅层；以及

在所述氮化硅层上方形成所述第二半导体材料的包覆层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述执行快速热氮化工艺之前，在所述衬垫上形成介电层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中

所述介电层包含氧化硅；

所述第一半导体材料为硅；以及

所述第二半导体材料为硅锗。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括在所述执行快速热氮化工艺之后并且在所述形成包覆层之前，去除所述介电层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述去除所述介电层包括：

执行化学氧化物去除(COR)工艺；以及

执行后加热处理(PHT)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中

所述化学氧化物去除工艺包括在第一温度下施加NH₃和HF；以及

所述后加热处理包括在高于所述第一温度的第二温度下施加退火工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成包覆层包括：

在所述有源区域上沉积所述包覆层，从而使得所述包覆层与所述半导体堆叠件通过所述氮化硅层分隔开；以及

对所述包覆层执行各向异性蚀刻工艺。

8.根据权利要求7所述的方法，其中

在所述有源区域上沉积所述包覆层包括沉积具有第一部分和第二部分的所述包覆层，所述第一部分位于所述氮化硅上，所述第二部分位于所述衬垫上；

所述包覆层的所述第一部分具有非晶结构；以及

所述包覆层的所述第二部分具有晶体结构。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成半导体堆叠件，其中，所述半导体堆叠件包括交替地堆叠在所述衬底上的第一半导体材料的第一半导体层和第二半导体材料的第二半导体层；

图案化所述半导体堆叠件和所述衬底以形成沟槽和与所述沟槽相邻的有源区域；

在所述沟槽中形成隔离部件；

在所述有源区域的侧壁上形成扩散阻挡层；以及

在所述扩散阻挡层上形成所述第二半导体材料的包覆层。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成半导体堆叠件，其中，所述半导体堆叠件包括交替地堆叠在所述衬底上的第一半导体材料的第一半导体层和第二半导体材料的第二半导体层；

图案化所述半导体堆叠件和所述衬底以形成沟槽和与所述沟槽相邻的有源区域；

在所述沟槽的侧壁和所述有源区域的侧壁上外延生长硅层，从而形成衬垫；

在所述沟槽中形成隔离部件；

蚀刻以去除所述衬垫的暴露部分；以及

外延生长所述第二半导体材料的包覆层，从而使得所述包覆层相对于所述隔离部件选择性地生长在所述有源区域上，其中，所述包覆层呈晶体结构。