[发明专利]单光子探测器及其制作方法

摘要

本发明涉及一种单光子探测器及其制作方法。所述制作方法中，在衬底正面形成第一电极后，移除所述衬底，再通过离子注入在外延层背面从所述外延层表面朝向所述外延层内部的第一预定深度内形成第二电极接触区，并形成与第二电极接触区电连接的第二电极。由于衬底被全部移除，外延层构成的基底层厚度均匀，外延层不同区域对光子的吸收能力以及光生载流子的传输距离较均匀，提升了单光子雪崩二极管和单光子探测器的均一性，并且，所述第二电极掺杂区的深度均匀且掺杂浓度容易控制和调节，使不同区域的第二电极的接触电阻均一，提升单光子雪崩二极管和单光子探测器的均一性和性能稳定性。所述单光子探测器可采用上述制作方法形成。