[发明专利]一种具有栅压调控光电转化效率的硒氧铋/二碲化钼异质结光电晶体管及其制备方法和应用

摘要

本发明属于二维光电晶体管领域，公开提供了一种具有栅压调控光电转化效率的Bi2O2Se/MoTe2异质结光电晶体管及其制备方法和应用。该光电晶体管包括SiO2/Si衬底、Bi2O2Se/MoTe2异质结和电极；先将Bi2O2Se纳米片转移到SiO2/Si衬底，再将MoTe2纳米片垂直堆叠到Bi2O2Se纳米片上，交叠部分形成Bi2O2Se/MoTe2异质结，在异质结区域外制备金属粘附层/Au电极。本发明的光电晶体管具有1～8％的栅极调控光电转化效率，并在405～1310nm宽谱波段范围具有优异的自驱动光电性能，可用在太阳能电池、紫外‑可见光‑近红外成像和低功耗光电子器件领域。