[发明专利]背接触太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202211053775.6 | 申请日: | 2022-08-31 |
公开(公告)号: | CN115513307A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 张东威;吴帅;李云朋;叶枫;方亮;徐希翔 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了背接触太阳能电池及其制备方法,背接触太阳能电池包括:半导体基底,所述半导体基底具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面包括多个第一区域、第二区域和交错叠置区域;遂穿氧化层和P型掺杂晶硅层;第一本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层;隔离结构,所述隔离结构包括隔离层和隔离槽。本发明通过将不同温度选择性钝化接触技术结合到IBC结构得到了一种杂化的背接触电池技术,进而解决了HBC结构n区工艺窗口窄而导致的容易伤害n区的问题以及传统HBC电池制造过程成本高和制备工艺复杂的问题,降低了工艺难度和制造成本。 | ||
搜索关键词: | 接触 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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