[发明专利]背接触太阳能电池及其制备方法在审

申请号：	202211053775.6	申请日：	2022-08-31
公开（公告）号：	CN115513307A	公开（公告）日：	2022-12-23
发明（设计）人：	张东威;吴帅;李云朋;叶枫;方亮;徐希翔	申请（专利权）人：	隆基绿能科技股份有限公司
主分类号：	H01L31/0216	分类号：	H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20
代理公司：	北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435	代理人：	郭栋梁
地址：	710100 陕西***	国省代码：	陕西;61
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摘要：
搜索关键词：	接触太阳能电池及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：

半导体基底，所述半导体基底包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括第一区域、第二区域和交错叠置区域，所述交错叠置区域在所述第一区域和所述第二区域之间，所述第一区域与所述半导体基底的沿宽度方向的中心线之间的距离大于所述第二区域与所述半导体基底的沿宽度方向的中心线之间的距离；

第一遂穿氧化层和第一P型掺杂晶硅层，所述第一遂穿氧化层在所述第一区域上，所述第一P型掺杂晶硅层在所述第一遂穿氧化层的远离所述半导体基底的表面上；

第一子本征非晶硅层和第一N型掺杂非晶硅层，所述第一P型掺杂晶硅层与所述第一N型掺杂非晶硅层的导电类型相反，所述第一子本征非晶硅层在所述第二区域上，所述第一N型掺杂非晶硅层在所述第一子本征非晶硅层的远离所述半导体基底的表面上；

交错叠置层，所述交错叠置层包括依次在所述交错叠置区域的第二遂穿氧化层、第二P型掺杂晶硅层、第二子本征非晶硅层和第二N型掺杂非晶硅层，所述第二P型掺杂晶硅层与所述第二N型掺杂非晶硅层的导电类型相反；

隔离结构，所述隔离结构包括隔离层和隔离槽，所述隔离层在所述第二子本征非晶硅层与所述第二P型掺杂晶硅层之间，所述隔离槽贯穿所述第二N型掺杂非晶硅层和所述第二子本征非晶硅层。

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二区域为绒面结构；

和/或，所述第一区域为绒面结构；

和/或，所述第二表面为绒面结构。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括：第一电极层和第二电极层，所述第一电极层在所述隔离槽的一侧，且所述第一电极层覆盖所述第一N型掺杂非晶硅层和部分所述第二N型掺杂非晶硅层，所述第二电极层在所述隔离槽的另一侧，且所述第二电极层覆盖部分所述第二N型掺杂非晶硅层和所述第一P型掺杂晶硅层。

4.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层为透明导电层，所述第一电极层和所述第二电极层的材料各自独立地选自氧化铟锡、氧化铝锌、掺氢氧化铟和氧化铟钨中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述隔离层包括BSG层，所述BSG层在所述第二子本征非晶硅层与所述第二P型掺杂晶硅层之间。

6.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述BSG层的厚度为80～120nm。

7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层包括第三本征非晶硅层和氮化硅钝化层，所述第三本征非晶硅层在所述第二表面上，所述氮化硅钝化层在所述第三本征非晶硅层的远离所述半导体基底的表面。

8.根据权利要求1-7任一项所述的背接触太阳能电池，其特征在于，

所述第一隧穿氧化层和所述第二隧穿氧化层均为隧穿SiO₂层；和/或

所述第一隧穿氧化层和所述第二隧穿氧化层的厚度均为1.2～1.8nm；和/或

所述第一P型掺杂晶硅层和所述第二P型掺杂晶硅层的厚度均为80～200nm；和/或

所述第一P型掺杂晶硅层和所述第二P型掺杂晶硅层的扩散方阻均为80～120Ω/sq；和/或

所述第一子本征非晶硅层和所述第二子本征非晶硅层的厚度均为5～30nm；和/或

所述第一N型掺杂非晶硅层和所述第二N型掺杂非晶硅层的厚度均为10～30nm；和/或

所述第一N型掺杂非晶硅层和所述第二N型掺杂非晶硅层中的元素掺杂浓度均为10e20cm^-3～10e21cm^-3。