[发明专利]CIS器件的形成方法

摘要

本发明提供了一种CIS器件的形成方法，包括：提供衬底以及位于衬底上的氧化层和氮化层，衬底分为相邻像素区和逻辑区；刻蚀氮化层、氧化层和衬底在像素区的衬底内和逻辑区的衬底内分别形成第一浅沟槽和第二浅沟槽；刻蚀第二浅沟槽的底部，以形成第三浅沟槽，同时，逻辑区的氮化层的表面被部分刻蚀，像素区的氮化层和逻辑区的氮化层形成高度差；在像素区的氮化层的表面和逻辑区的氮化层的表面均形成一层底部抗反射层；在逻辑区的底部抗反射层上形成光刻胶；刻蚀像素区的底部抗反射层，以露出像素区的氮化层；刻蚀像素区的氮化硅，使得剩余的像素区的氮化层与逻辑区的氮化层的厚度齐平。本发明消除了像素区的氮化层和逻辑区的氮化层的高度差。