[发明专利]CIS器件的形成方法

权利要求书

1.一种CIS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底以及依次位于所述衬底上的氧化层和氮化层，所述衬底分为相邻像素区和逻辑区，所述氧化层和氮化层均位于所述像素区的衬底和逻辑区的衬底上；

刻蚀所述氮化层、所述氧化层和所述衬底，以在所述像素区的衬底和所述逻辑区的衬底内分别形成第一浅沟槽和第二浅沟槽；

刻蚀所述第二浅沟槽的底部，使所述第二沟槽的深度增加，以形成第三浅沟槽，同时，所述逻辑区的氮化层的表面被部分刻蚀，所述像素区的氮化层和所述逻辑区的氮化层形成高度差；

在所述像素区的氮化层的表面和所述逻辑区的氮化层的表面均形成一层底部抗反射层，所述底部抗反射层同时填充所述第一浅沟槽和所述第三浅沟槽；

在所述逻辑区的底部抗反射层上形成光刻胶；

刻蚀所述像素区的底部抗反射层，以露出所述像素区的氮化层；以及

刻蚀所述像素区的氮化硅，使得剩余的像素区的氮化层与所述逻辑区的氮化层的厚度齐平。

2.如权利要求1所述的CIS器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述像素区的氮化硅，使得剩余的像素区的氮化层与所述逻辑区的氮化层的厚度齐平之后，还包括：去除所述光刻胶和剩余的所述底部抗反射层。

3.如权利要求2所述的CIS器件的形成方法，其特征在于，使用O₂去除所述光刻胶和剩余的所述底部抗反射层。

4.如权利要求2所述的CIS器件的形成方法，其特征在于，去除所述光刻胶和剩余的所述底部抗反射层之后，还包括：

向所述第一浅沟槽和所述第三浅沟槽填充氧化硅，以分别形成第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构；以及

研磨所述像素区剩余的氮化层和所述逻辑区剩余的氮化层，以露出所述像素区的氧化层的表面和所述逻辑区的氧化层的表面。

5.如权利要求2所述的CIS器件的形成方法，其特征在于，在所述逻辑区的底部抗反射层上形成光刻胶之后，还包括：对所述光刻胶和所有所述底部抗反射层进行硬化处理。

6.如权利要求5所述的CIS器件的形成方法，其特征在于，使用HBr对所述光刻胶和所有所述底部抗反射层进行硬化处理。

7.如权利要求1所述的CIS器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述像素区的底部抗反射层，以露出所述像素区的氮化层之后，还包括：对所述第一浅沟槽内的底部抗反射层进行硬化处理。

8.如权利要求1所述的CIS器件的形成方法，其特征在于，所述第一浅沟槽的深度和所述第二沟槽的深度均为1400埃～1600埃。

9.如权利要求1所述的CIS器件的形成方法，其特征在于，增加深度后的第三浅沟槽的深度为2900埃～3100埃。

10.如权利要求1所述的CIS器件的形成方法，其特征在于，使用CF₄或者CHF₃刻蚀所述像素区的氮化硅，使得剩余的像素区的氮化层与所述逻辑区的氮化层的厚度齐平。