[发明专利]CIS器件的形成方法

说明书

本发明提供了一种CIS器件的形成方法，包括：提供衬底以及位于衬底上的氧化层和氮化层，衬底分为相邻像素区和逻辑区；刻蚀氮化层、氧化层和衬底在像素区的衬底内和逻辑区的衬底内分别形成第一浅沟槽和第二浅沟槽；刻蚀第二浅沟槽的底部，以形成第三浅沟槽，同时，逻辑区的氮化层的表面被部分刻蚀，像素区的氮化层和逻辑区的氮化层形成高度差；在像素区的氮化层的表面和逻辑区的氮化层的表面均形成一层底部抗反射层；在逻辑区的底部抗反射层上形成光刻胶；刻蚀像素区的底部抗反射层，以露出像素区的氮化层；刻蚀像素区的氮化硅，使得剩余的像素区的氮化层与逻辑区的氮化层的厚度齐平。本发明消除了像素区的氮化层和逻辑区的氮化层的高度差。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种CIS器件的形成方法。

背景技术

在CIS的形成过程中，CIS一般分为像素区和逻辑区，像素区(pixel)的浅沟槽隔离(STI)为满足后续工艺填充效果，需要较小的深宽比，因此相对于逻辑区的STI深度，需要降低像素区的STI深度，所以需要采用两道STI刻蚀以形成深度不同的像素区的STI和逻辑区的STI。

请参照图1，提供衬底110以及依次位于衬底110上的氧化层120和氮化层130，氧化层120的厚度为90埃，氮化层130的厚度为810埃，将衬底110分为相邻的像素区110A和逻辑区110B，同时，刻蚀像素区110A的衬底110和逻辑区110A的衬底110，以在像素区110A的衬底110内形成第一浅沟槽140，在逻辑区110B的衬底110内形成第二浅沟槽150，第一浅沟槽140和第二浅沟槽150的深度均为1500埃。接着，请参照图2，在像素区110A的氮化层130的表面和第一浅沟槽140内形成一层光刻胶160，以保护像素区110A的氮化层130不被刻蚀。请参照图2和图3，继续刻蚀第二沟槽150，使得第二沟槽150的深度变为3000埃，接着，去除像素区110A的氮化层130表面和第一浅沟槽140内的光刻胶160。刻蚀第二沟槽150的同时，会导致逻辑区110B的氮化层130被部分刻蚀，被刻蚀掉的厚度为大约170埃，也就是说剩余的逻辑区110B的氮化层130只剩下640埃。因此，此时，像素区110A的氮化层130和逻辑区110B的氮化层130出现了高度差。甚至，有可能出现逻辑区110B的氮化层130被刻蚀掉的厚度增加的情况，使得像素区110A的氮化层130和逻辑区110B的氮化层130的高度差加大。接着，请参照图4，向第一沟槽140和第二沟槽150内填充氧化硅170以分别形成第一浅沟槽隔离结构141和第二浅沟槽隔离结构151，氧化硅170覆盖像素区110A的氮化层130和逻辑区110B的氮化层130的表面，接着，研磨覆盖像素区110A的氮化层130和逻辑区110B的氮化层130的表面氧化硅和氮化层130，以去除像素区110A和逻辑区110B的氮化层130，露出像素区110A和逻辑区110B的氧化层120。

在研磨氮化层130的过程中，如果研磨量不足，氮化层130研磨得不干净，造成器件短路。如果增大研磨量使得氮化层130研磨干净，又会造成第二浅沟槽隔离结构151被部分研磨掉，如图5，导致第二浅沟槽隔离结构151的表面低于逻辑区110B的衬底110的表面，也就是说导致第二浅沟槽隔离结构151的表面低于AA的表面，从而影响后续的多晶硅栅极工艺，造成器件缺陷。总之，如果像素区110A的氮化层130和逻辑区110B的氮化层130出现高度差，可能导致器件出现缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种CIS器件的形成方法，在研磨氮化层之前可以将像素区的氮化层和逻辑区的氮化层的高度差消除，从而在研磨像素区的氮化层和逻辑区的氮化层时不会出现过磨或研磨不足的情况。

为了达到上述目的，本发明提供了一种CIS器件的形成方法，包括：

提供衬底以及依次位于所述衬底上的氧化层和氮化层，所述衬底分为相邻像素区和逻辑区，所述氧化层和氮化层均位于所述像素区的衬底和逻辑区的衬底上；

刻蚀所述氮化层、氧化层和所述衬底，以在所述像素区的衬底和所述逻辑区的衬底内分别形成第一浅沟槽和第二浅沟槽；