[发明专利]半导体器件的制造方法、基板处理装置以及存储介质在审
| 申请号： | 202211045826.0 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115938920A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 梅田爱子;八岛司;中川良彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/48;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供与机差或条件无关地能够稳定地成膜的半导体器件的制造方法、基板处理装置以及存储介质。半导体器件的制造方法包括：设定对微波的输出值进行修正的修正系数的工序；对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储的工序；从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数的工序；根据所获取的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值的工序；使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正的工序；以及利用修正后的所述微波的输出设定值将所述微波向处理室内供给来对基板进行处理的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 处理 装置 以及 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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