[发明专利]半导体器件的制造方法、基板处理装置以及存储介质在审
申请号: | 202211045826.0 | 申请日: | 2022-08-30 |
公开(公告)号: | CN115938920A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 梅田爱子;八岛司;中川良彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/48;C23C16/52 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 处理 装置 以及 存储 介质 | ||
1.一种半导体器件的制造方法,其包括:
设定对微波的输出值进行修正的修正系数的工序;
对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储的工序;
从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数的工序;
根据所获取的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值的工序;
使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正的工序;以及
利用修正后的所述微波的输出设定值将所述微波向处理室内供给来对基板进行处理的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,
多个所述修正表包括能够设定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系数的装置间机差修正表。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,
多个所述修正表包括能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系数的处理模块间修正表。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,
多个所述修正表包括能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的偏移量值的修正系数的处理间修正表。
5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法,其中,
在进行所述修正系数的设定的工序中,
所述装置间机差修正表能够设定装置整体共用的修正系数。
6.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法,其中,
在进行所述修正系数的设定的工序中,
所述处理模块间修正表能够针对每个模块设定修正系数。
7.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法,其中,
在进行所述修正系数的设定的工序中,
所述处理间修正表能够针对每个定义了基板的处理条件的制程设定修正系数。
8.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法,其中,
多个所述修正表包括能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系数的处理模块间修正表以及/或者能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的偏移量值的修正系数的处理间修正表,
在算出所述微波的所述修正值的工序中,将根据所述处理模块间修正表以及/或者所述处理间修正表获取到的修正系数、和根据所述装置间机差修正表获取到的修正系数组合,来算出所述微波的输出设定值的修正值。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法,其中,
在获取所述修正系数的工序中,在不存在所述处理模块间修正表的情况下,不进行所述微波的输出设定值的修正。
10.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法,其中,
在获取所述修正系数的工序中,在不存在所述处理间修正表的情况下,使用所述处理模块间修正表或者所述装置间机差修正表的某一个进行所述微波的输出设定值的修正。
11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,
所述修正表能够被指定为定义了基板的处理条件的制程的组合信息。
12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,
在没有进行所述微波的输出的情况下不算出所述修正值。
13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,
所述存储部能够存储输出状态、从输出起的经过时间以及设定值,来作为微波信息。
14.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,
在没有对所述基板进行处理的情况下,清除所述经过时间。
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