[发明专利]半导体器件的制造方法、基板处理装置以及存储介质在审
| 申请号： | 202211045826.0 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115938920A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 梅田爱子;八岛司;中川良彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/48;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 处理 装置 以及 存储 介质 | ||
本发明提供与机差或条件无关地能够稳定地成膜的半导体器件的制造方法、基板处理装置以及存储介质。半导体器件的制造方法包括：设定对微波的输出值进行修正的修正系数的工序；对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储的工序；从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数的工序；根据所获取的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值的工序；使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正的工序；以及利用修正后的所述微波的输出设定值将所述微波向处理室内供给来对基板进行处理的工序。
技术领域
本公开涉及半导体器件的制造方法、基板处理装置以及存储介质。
背景技术
已知一种在半导体制造领域中使用的基板处理装置中用微波对基板进行处理的技术(例如，参照专利文献1)。
此外，在现有的微波输出装置中，有因机差或条件的不同而导致处理室内的温度下降，有基板的成膜变得不稳定这样的课题。
现有技术文献
专利文献1：JP特开2011-66254号公报
发明内容
本公开的一个方面的目的在于，提供一种与机差或条件无关地能够稳定地成膜的技术。
根据本公开的一个方面提供一种技术，该技术具备：
设定对微波的输出值进行修正的修正系数的工序；
对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储的工序；
从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数的工序；
根据所获取的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值的工序；
使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正的工序；以及
利用修正后的所述微波的输出设定值将所述微波向处理室内供给来对基板进行处理的工序。
发明效果
根据本公开的一个方面，提供一种与机差或条件无关地能够稳定地成膜的技术。
附图说明
图1是本公开的一实施方式的基板处理装置所具有的处理室的纵向剖视图。
图2是示出本公开的一实施方式的基板处理装置所具有的控制部的硬件构成的框图。
图3是在本公开的一实施方式的基板处理装置中使用的修正值获取处理的流程图。
图4是示出装置间机差修正表(第一修正表)的设定画面的图。
图5是示出处理模块间机差修正表(第二修正表)的设定画面的图。
图6是示出处理间修正表(第三修正表)的设定画面的图。
图7是示出伴随微波输出和时间经过的温度下降的曲线图。
图8是示出修正值算出例的参考图。
图9是示出本公开的一实施方式的基板处理装置的微波输出值的控制方法的流程图。
其中，附图标记说明如下：
20微波产生部
80控制部
100基板处理装置
102运算装置
104存储装置
204输入输出装置
具体实施方式
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