[发明专利]半导体制备参数的优化方法、装置及电子设备在审

专利信息
申请号: 202211043486.8 申请日: 2022-08-29
公开(公告)号: CN115293455A 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 姜卓颖;李澄;江莹;李琳;黄凯;李金钗;陈孟瑜;康俊勇;张荣 申请(专利权)人: 厦门大学;嘉庚创新实验室
主分类号: G06Q10/04 分类号: G06Q10/04;G06Q10/06;G06K9/62;G06N3/04
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 张琳琳
地址: 361005 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及半导体技术领域,具体涉及半导体制备参数的优化方法、装置及电子设备,该方法包括获取目标半导体的多组制备参数,所述制备参数包括多个参数;将所述制备参数输入至目标性能预测模型中,确定所述制备参数对应的预测性能,所述目标性能预测模型是基于源域性能预测模型确定的,所述源域性能预测模型是基于源域半导体的第一样本数据训练得到的;对比各个所述预测性能,在所述多组制备参数中确定所述目标半导体的目标制备参数。利用源域性能预测模型确定出目标性能预测模型,并结合目标性能预测模型对多组制备参数进行筛选得到目标制备参数,从而实现基于网络模型的方式进行制备参数的确定,保证了制备参数的可靠性。
搜索关键词: 半导体 制备 参数 优化 方法 装置 电子设备
【主权项】:
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