[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法在审
申请号: | 202211033525.6 | 申请日: | 2022-08-26 |
公开(公告)号: | CN115377108A | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 华文宇;刘藩东 | 申请(专利权)人: | 芯盟科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张瑞 |
地址: | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种动态随机存取存储器及其形成方法,其中方法包括:提供衬底,衬底具有相对的第一面和第二面,衬底包括若干有源区,每个有源区均包括若干字线区和若干沟道区;在每个字线区内形成字线栅沟槽;在每个字线栅沟槽内形成字线栅结构;自第一面向第二面的方向刻蚀部分沟道区,在衬底内形成第一开口;在第一开口的侧壁和底部表面形成内衬层;在内衬层上形成牺牲层;在牺牲层上形成第一封闭层,第一封闭层内具有释放口;去除牺牲层,在第一开口内形成空腔;在释放口内形成第二封闭层。通过牺牲层能够有效定义空腔的形成位置和形成尺寸,以提升空腔的均一性。而且通过调节内衬层的厚度、以及牺牲层的高度,能够使得空腔的形成位置和形成尺寸可控。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的