[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立且平行于第一方向的有源区，且若干所述有源区沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向垂直，每个所述有源区均包括若干字线区和若干沟道区，且每个所述有源区中的若干所述字线区和若干所述沟道区沿所述第一方向间隔排列；

在每个所述字线区内形成字线栅沟槽，所述字线栅沟槽自所述第一面向所述第二面延伸，且所述字线栅沟槽沿所述第二方向贯穿所述有源区；

在每个所述字线栅沟槽内形成至少一个字线栅结构；

自所述第一面向所述第二面的方向刻蚀部分所述沟道区，在所述衬底内形成若干平行于所述第二方向的第一开口；

在所述第一开口的侧壁和底部表面形成内衬层；

在所述内衬层上形成牺牲层，所述牺牲层的顶部表面高度低于所述第一面；

在所述牺牲层上形成第一封闭层，所述第一封闭层填充满所述第一开口，且所述第一封闭层内具有释放口，所述释放口暴露出所述牺牲层的部分顶部表面；

由所述释放口去除所述牺牲层，在所述第一开口内形成空腔；

在形成所述空腔之后，在所述释放口内形成第二封闭层以封闭所述空腔。

2.如权利要求1所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述第一封闭层的材料和所述第二封闭层的材料相同或不同。

3.如权利要求2所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述第一封闭层的材料包括：氧化硅或氮化硅；所述第二封闭层的材料包括：氧化硅或氮化硅。

4.如权利要求1所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的形成方法包括：在所述第一开口内以及所述第一面上形成牺牲材料层；回刻蚀所述牺牲材料层，形成所述牺牲层。

5.如权利要求1所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料与所述内衬层的材料不同，所述牺牲层的材料包括：氧化硅、氮化硅或碳。

6.如权利要求1所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述空腔沿所述第二方向的投影为矩形。

7.如权利要求1所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述释放口沿所述第一方向具有第一宽度尺寸，所述牺牲层沿所述第一方向具有第二宽度尺寸，所述第一宽度尺寸与所述第二宽度尺寸之比为：1：2～1：10。

8.如权利要求1所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，每个所述字线栅沟槽内具有两个相互分立的所述字线栅结构，两个所述字线栅结构之间具有隔离结构。

9.如权利要求8所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，两个所述字线栅结构、以及位于两个所述字线栅结构之间的隔离结构的形成方法包括：在每个所述字线栅沟槽内形成初始字线栅结构；自所述第一面向所述第二面的方向刻蚀部分所述初始字线栅结构若干隔离开口，所述隔离开口自所述第一面向所述第二面的方向贯穿所述初始字线栅结构，使得所述初始字线栅结构形成相互分立的两个所述字线栅结构；在所述隔离开口内形成所述隔离结构。

10.如权利要求1所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述第二封闭层之后，还包括：在每个所述沟道区内形成第一源漏掺杂区，所述第一面暴露出所述第一源漏掺杂区；在所述第一面上形成若干电容结构，每个所述电容结构与一个所述第一源漏掺杂区电连接；自所述第二面向所述第一面的方向对所述衬底进行减薄处理；在每个所述沟道区内形成第二源漏掺杂区，所述第二面暴露出所述第二源漏掺杂区；在所述第二面上形成若干平行于所述第一方向的位线层，每个所述位线层与一个所述有源区中的若干所述第二源漏掺杂区电连接。

11.如权利要求10所述动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述第二源漏掺杂区的深度大于或等于所述字线栅结构与所述第二面之间的间距。