[发明专利]气相沉积过程在审

专利信息
申请号: 202211030946.3 申请日: 2022-08-26
公开(公告)号: CN115928047A 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: T.哈坦帕;A.维赫尔瓦亚拉;M.瑞塔拉 申请(专利权)人: ASMIP私人控股有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C07F7/30;C23C16/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 焦玉恒
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开涉及通过循环沉积过程在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的方法,涉及含元素金属或半金属的层,涉及半导体结构和器件,以及涉及用于在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的沉积组件。根据本公开的方法包括在反应室中提供衬底,以气相向反应室提供金属或半金属前体,以及以气相向反应室中提供还原剂,以在衬底上形成含元素金属或半金属的材料。根据该方法的还原剂包括选自包含含锗取代基的化合物的环己二烯化合物。
搜索关键词: 沉积 过程
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP私人控股有限公司,未经ASMIP私人控股有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211030946.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top