[发明专利]气相沉积过程在审
申请号: | 202211030946.3 | 申请日: | 2022-08-26 |
公开(公告)号: | CN115928047A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | T.哈坦帕;A.维赫尔瓦亚拉;M.瑞塔拉 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C07F7/30;C23C16/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及通过循环沉积过程在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的方法,涉及含元素金属或半金属的层,涉及半导体结构和器件,以及涉及用于在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的沉积组件。根据本公开的方法包括在反应室中提供衬底,以气相向反应室提供金属或半金属前体,以及以气相向反应室中提供还原剂,以在衬底上形成含元素金属或半金属的材料。根据该方法的还原剂包括选自包含含锗取代基的化合物的环己二烯化合物。 | ||
搜索关键词: | 沉积 过程 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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